《科创板日报》10月26日讯（记者曾乐）后摩尔时代，先进逻辑制程、存储芯片与先进封装对纳米级薄膜制备提出更为严苛的工艺要求，单一沉积技术难以覆盖多元复杂的制程需求。

　　在此背景下，平台化、多路线协同布局成为国产薄膜装备企业的重要破局方向。

　　近日，江苏微导纳米科技股份有限公司（下称：微导纳米）发布iMagtron PVD系列两款磁控溅射新品。随着PVD产品线落地，该公司补齐ALD、CVD、PVD三大薄膜沉积路线产品版图。

　　“从产业维度来看，能否同时具备ALD、CVD、PVD三大薄膜沉积路线的产品与工艺交付能力，是评判薄膜设备厂商平台化能力的核心标尺。”微导纳米联合创始人、CTO黎微明在接受《科创板日报》记者专访时表示。

　　微导纳米作为半导体、泛半导体高端微纳装备制造商，专注于先进微米级、纳米级薄膜沉积设备的研发、生产与销售。该公司正持续拓展真空薄膜技术边界，从起家的ALD原子层沉积技术，延伸至CVD、PVD，搭建一体化薄膜沉积装备平台。在硬件版图补齐之外，其持续攻坚金属Ru（钌）ALD创新工艺，突破后铜互连时代超薄连续成膜的核心难题。

　　2026年上半年，微导纳米业务结构现标志性拐点：半导体设备收入达6.29亿元，同比增长224.77%，占主营业务收入比重提升至53.11%，首次超越光伏设备成为其第一大收入来源。

　　“公司创立初衷，便是深耕半导体装备赛道。但早年国内半导体先进工艺装备国产化空间有限，因此，我们先行切入光伏领域积蓄技术与产业化能力。如今，业务重回创业初心的主赛道，我们一定会成长为以半导体装备为核心的平台型企业。”黎微明坚定说道。

　　随着半导体业务持续放量，这家泛半导体装备企业正完成战略重心切换，加速向平台型薄膜设备厂商迈进。本次专访中，黎微明详解公司最新产品与工艺，剖析国产薄膜沉积装备从单点突破走向体系化攻关的新进程。

　　▍补齐三大薄膜沉积路线版图搭建一体化工艺平台

　　截至目前，微导纳米已形成“ALD、CVD、PVD”的三大沉积路线协同，薄膜沉积技术平台化体系。“PVD主要用于金属化工艺，新品落地意味着，公司具备前道+后道完整解决方案能力。”黎微明表示，“高端沉积装备国产化，正在从单点‘可用’，迈向多路线系统性工艺规划阶段。”

　　据黎微明介绍，ALD是该公司的核心技术路线。其亦是国内首家将量产型高介电常数（High-k ）ALD导入集成电路前道产线的国产厂商；该公司CVD为梯次发展路线，PECVD、LPCVD等产品获得产业链重要客户量产重复订单；而其近期推出的PVD为iMagtron系列磁控溅射系统，聚焦传统制程、先进制程与先进封装薄膜金属化需求，覆盖金属电极、扩散阻挡层、种子层、互连金属化等关键环节。

　　谈及公司布局PVD的底层战略考量，黎微明表示，微导纳米推出PVD，并非单纯新增一款设备，参与存量市场价格竞争，而是响应国内芯片制造客户真实的工艺集成诉求。“国内半导体产业迭代速度快，客户迫切需要设备厂商前置开展研发，深度参与联合开发一体化工艺方案，这是公司发力PVD赛道的根本动因”。

　　其进一步解释称，依托已实现量产落地的ALD、CVD产品，叠加全新iMagtron PVD金属化设备，公司可面向芯片前道、后道工艺提供完整薄膜沉积一体化解决方案，改变长期以来，客户需要对接多家设备供应商、分头完成不同沉积设备采购与联合验证的模式。“客户能够在同一供应商体系内完成多路线协同工艺验证，微导纳米配套提供Demo设备、定制工艺开发与多材料验证支持，业务场景覆盖逻辑、存储、先进封装、化合物半导体、硅基微显示等领域，有望帮助客户降低整体工艺集成成本，加速新工艺导入节奏，提升产线良率”。

　　在黎微明看来，存量市场传统PVD设备，难以独立解决未来先进芯片制造中的互连瓶颈，后摩尔时代的先进工艺，必须依靠多薄膜技术融合。“我们的核心思路，是打造支持多技术集成的统一设备平台，实现ALD、CVD、PVD多路线协同，最终向客户输出成套薄膜工艺解决方案，而不只是交付单台设备”。

　　▍攻坚金属Ru（钌）ALD创新工艺突破后铜时代超薄成膜卡点

　　随着芯片制程持续微缩、存储单元堆叠层数不断提升，传统铜互连面临越来越突出的RC延迟与长期可靠性挑战。金属Ru（钌）凭借纳米尺度下电阻率增幅小、抗电迁移能力强的材料特性，被视作存储器后铜时代可替代传统阻挡层的关键互连材料，相关工艺亦可适用于先进逻辑互连、先进封装硅通孔（TSV）铜阻挡层等场景。

　　但金属Ru（钌）量产的核心难点在于连续性沉积成膜。其在二氧化硅等绝缘表面沉积时成核慢，初期易形成难以二维连续生长的岛状晶核；若岛状晶核无法合并为连续薄膜，超薄金属Ru（钌）就会出现断膜、孔洞，无法承担阻挡层或种子层角色。这也是目前金属Ru（钌）从实验室走向量产的核心技术壁垒之一。

　　“虽然PVD设备理论上可以制备金属Ru（钌），但工艺适配性并不理想。”黎微明表示，微导纳米开发的金属Ru（钌）ALD新工艺，重点解决了超薄金属Ru（钌）薄膜连续成膜难题，该工艺基于iTomic MeT产品及特殊硬件设计实现，在未来还将与公司CVD、PVD产品集成，给客户提供先进工艺节点的全新技术解决方案。

　　在商业化落地层面，该公司iMagtron PVD产品以及金属Ru（钌）新材料工艺，已启动和逻辑芯片、先进存储头部客户的联合开发；先进封装则成为重点攻坚赛道。其称：“先进封装TSV深孔结构的超高深宽比，给传统PVD制备阻挡层、种子层带来明显技术挑战，而金属Ru（钌）ALD新工艺正是瞄准这类行业长期痛点开发。”

　　黎微明判断，先进封装赛道是国产设备落地最快的赛道之一，目前国内外技术路线仍处于激烈赛跑阶段，行业尚未形成固化、成熟的标准化方案，这恰恰是国产设备厂商难得的机遇。“依托ALD、低温CVD、全新PVD的产品组合，微导纳米计划在先进封装金属化领域持续突破”。

　　“在后摩尔时代，芯片线宽持续缩小，传统PVD铜互连在极小体积下，电阻率会显著抬升。我们这套金属Ru（钌）ALD新工艺，有望破解这一痛点，给行业提供全新的互连技术选择。”黎微明如是说。

　　▍业务拐点已至：回归半导体主业在持续奔跑中构筑竞争力

　　今年上半年，微导纳米的半导体设备收入首次超过光伏设备，正式完成业务结构切换。其半导体新增订单占全部新增订单比例超85%，增量主要来自存储领域客户。在黎微明看来，这不是一次转型，而是“回归公司创立的初心”。

　　“公司最初定位便是半导体装备企业。彼时，国内半导体装备产业环境薄弱，产业化机会有限，公司选择先进入光伏赛道，依靠光伏业务完成技术积累、团队打磨。”黎微明回忆称。

　　今年10月12日晚间，微导纳米发布公告称，拟定增募资不超49.44亿元，用于无锡先进半导体设备产业化升级迭代项目、华中先进半导体设备产业化项目、尖端薄膜沉积技术研发中心项目及补充流动资金。

　　谈及上述近50亿元的定增方案，黎微明表示，募资除用于产能扩建，主要投向研发中心与实验线建设。“实验线将用于新材料、新工艺提前验证，在客户遇到工艺瓶颈前，预研可行的集成解决方案，提前匹配客户快速迭代的新产品开发节奏”。

　　对于三条薄膜沉积路线的国产化现状，在黎微明看来：国内ALD、CVD量产产品性能已达先进水平，但在先进芯片产线的市占率仍有巨大提升空间；当前最大短板在于长期稳定性验证时间不足，需要持续积累产线数据，提升客户长期使用体验。PVD赛道国内与海外先进节点仍存在明显差距，且未来金属化工艺瓶颈，需要PVD与其他薄膜技术集成突破，国产化空间广阔。

　　供应链层面，受AI芯片需求爆发等因素影响，全球核心零部件供给阶段性紧张。对此，黎微明表示，微导纳米全面推动核心零部件自主可控，关键零部件均有国产替代备选方案，“ALD、CVD、PVD等多种专用设备部分核心零部件一定程度上具备通用性，能有效对冲供应链波动风险，当然国产化替代方案还需要持续的产线验证”。

　　展望未来1-2年，其表示，微导纳米的核心目标是依托持续技术创新，帮助客户解决芯片制造中的核心工艺难题，稳步推进PVD产品商业化落地、金属Ru（钌）ALD新工艺完成客户端验证。

　　当被问及行业长期护城河，黎微明提出一个颇具思辨性的观点：“半导体装备行业不存在静态护城河，持续向前奔跑、更快解决客户难题，才是企业的核心竞争力。单纯依靠单一技术专利很难长期守住优势，必须依靠产品迭代、工艺开发、客户验证、售后支持等综合能力持续升级。”

　　面对半导体行业强周期性，黎微明认为，穿越周期的核心抓手是持续投入研发，在行业低谷储备新技术、新工艺；同时，依托薄膜沉积底层技术，向其他战略性新兴产业延伸，拓宽技术应用边界，对冲周期波动。

　　在其看来，当前国产薄膜设备国产化最大瓶颈，一方面是设备本身仍需要更长时间积累稳定性数据；另一方面是下游客户固有的使用习惯，对国产设备仍存在顾虑。随着国产设备从“可用”走向“好用”，期待未来进入并跑、领跑阶段，国产装备能够获得更大发挥空间。

　　对于行业“资源分散、多头重复研发”的发展现状，黎微明表示，支持行业协同倡议。“半导体装备产业攻关，需要全产业链各方协同发力，集中资源攻坚关键节点，避免重复内耗”。

　　“微导纳米成立于2015年，从公司创立之初，我们就瞄准半导体装备赛道，光伏业务只是阶段性过渡。我们的初心，一直是成为平台型半导体薄膜沉积装备企业。”采访最后，黎微明表示，随着ALD、CVD、PVD三大产品矩阵成型，公司将持续围绕原子级薄膜沉积技术，与下游客户协同创新，推动高端薄膜沉积装备国产化进程。